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电子元器件详细资料 » IC[24505] » MMDT5551-7
型号:MMDT5551-7类别:晶体管(BJT) - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANSISTOR DUAL NPN 160V SOT363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列
描述TRANSISTOR DUAL NPN 160V SOT363
系列-
制造商Diodes Inc
晶体管类型2 NPN(双)
电流_集电极(Ic)111最大222200mA
电压_集电极发射极击穿111最大222160V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222200mV @ 5mA,50mA
电流_集电极截止111最大222-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)80 @ 10mA,5V
功率_最大200mW
频率_转换300MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装剪切带 (CT)

MMDT5551-7相关型号

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